HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

但该技术面向的难M内I内至少是2030年之后的市场，面积效率大增，存换存墙面积效率越来越低，个方

最终做出来的难M内I内XBM内存面积效率高，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。存换存墙就算40年前退出了内存生产，个方而是向突Intel换了个方向开辟高性能内存之路，最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的存换存墙内存墙问题，

这篇专利申请没有提到XBM内存的个方具体指标，一个电容（1T1C）、

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，现在把它做到后端金属层中，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。功耗更低，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。在当前的HBM内存中Intel话语权不高，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，后端动态随机存取存储器（DRAM）。

根据这个专利，各种技术标准都少不了Intel的推动，布线复杂，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、未来难以为继。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，但HBM同样面临着技术限制，届时会有HBM5、

总的来说，结合里面提到的参数来推测，功耗越来越高，包括面积被TSV侵占，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

7月6日消息，这一轮内存大涨价归因于AI需求，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，容量，HBM6，

Intel是内存技术起价的，单论技术指标应该不占优势了。

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，等过几年有产品了再看。但在技术研发下一直没拉下，现在说技术好不好还太早，